特許

J-GLOBAL ID：200903077941401676

スパッタリングターゲットとその製造方法、および電子部品

発明者： 渡辺 高志 ,  石上 隆 ,  高阪 泰郎 ,  藤岡 直美 ,  鈴木 幸伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128359
公開番号（公開出願番号）：特開2001-303243
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】【課題】 金属シリサイドターゲットにおいて、ターゲット内部の組織や状態、さらには加工面(特にスパッタ面)の状態などに起因するパーティクルの発生を抑制する。【解決手段】 MSix(式中、MはW、Mo、Ta、Ti、ZrおよびCoから選ばれる少なくとも1種の元素を、xは2〜4の範囲の数を示す)で表される金属シリサイドにより構成され、かつ連鎖状に形成された金属シリサイド相と、過剰なSi粒子が結合して形成され、金属シリサイド相の間隙に不連続に存在するSi相とを含む微細組織を有するスパッタリングターゲットである。この金属シリサイドは、ビッカース硬さで1300Hv以下の硬度を有しており、この低硬度化に基づいて残留応力が開放された状態となっている。

請求項（抜粋）：

一般式:MSix(式中、MはW、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、NiおよびCoから選ばれる少なくとも1種の元素を、xは2〜4の範囲の数を示す)で表される金属シリサイドにより構成され、かつ連鎖状に形成された金属シリサイド相と、過剰なSi粒子が結合して形成され、前記金属シリサイド相の間隙に不連続に存在するSi相とを含む微細組織を有するスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲットはビッカース硬さで1300Hv以下の硬度を有することを特徴するスパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  C22C 28/00

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/285 S ,  C22C 28/00 Z

Fターム (25件)：

4K029BA35 ,  4K029BA52 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC12 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103LL14 ,  5F103RR04 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 金属シリサイドタ-ゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-359213   出願人：日立金属株式会社
• タングステンシリサイドターゲット材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-201398   出願人：日立金属株式会社
• 特開平3-130360
  
• 金属シリサイドターゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057983   出願人：日立金属株式会社
• 特開平3-130360
  
• スパッタタ-ゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-180773   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-130360