特許
J-GLOBAL ID：201303038236576413

半導体基板の運搬および大気中保管のための輸送支持具を処理する方法、ならびにそのような方法を実施するための処理ステーション

発明者：
ゴドー,エルワン

ゴドー,エルワン について

, 
トロット,レミ

トロット,レミ について

, 
ファヴル,アルノー

ファヴル,アルノー について


出願人/特許権者：
アルカテル-ルーセント

アルカテル-ルーセント について


代理人 (5件)： 岡部 讓 ,  吉澤 弘司 ,  三山 勝巳 ,  ▲濱▼口 岳久 ,  川崎 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-000147
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070097
出願日： 2013年01月04日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物(AMC、VOC)および/または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具(1)の処理方法であって、 前記輸送支持具(1)上の処理されるべき表面(1a)から異物を除去するために前記処理されるべき表面(1a)がその間に準大気圧のガス圧(PSA)と赤外線(IR)との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断/回復されることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の運搬および保管のための輸送支持具(1)の処理方法であって、 前記輸送支持具(1)上の処理されるべき表面(1a)から異物を除去するために前記処理されるべき表面(1a)がその間に準大気圧のガス圧(PSA)と赤外線(IR)との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、最高許容温度を超えない温度設定あたりで材料の温度を維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断/回復されることを特徴とする、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  F26B 3/30 ,  F26B 5/04
FI (3件)：
H01L21/304 651Z ,  F26B3/30 ,  F26B5/04
Fターム (32件)：
3L113AA01 ,  3L113AB06 ,  3L113AC10 ,  3L113AC23 ,  3L113AC67 ,  3L113BA12 ,  3L113CA04 ,  3L113CB06 ,  3L113DA10 ,  5F157AB03 ,  5F157AB13 ,  5F157AC03 ,  5F157AC15 ,  5F157CB15 ,  5F157CB24 ,  5F157CB28 ,  5F157CB29 ,  5F157CB31 ,  5F157CC21 ,  5F157CE22 ,  5F157CE28 ,  5F157CE52 ,  5F157CE53 ,  5F157CE54 ,  5F157CE55 ,  5F157CE56 ,  5F157CE57 ,  5F157CF42 ,  5F157CF88 ,  5F157CF93 ,  5F157CF98 ,  5F157DB32
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM