特許
J-GLOBAL ID：201303038336458280

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
秋元 陽介

秋元 陽介 について

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小島 章弘

小島 章弘 について

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島田 美代子

島田 美代子 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-203855
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065726
出願日： 2011年09月16日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】色度ばらつきを低減した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第1の面とその反対側に形成された第2の面と発光層とを含む半導体層と、第2の面における発光層を有する領域に設けられたp側電極と、第2の面における発光層を含まない領域に設けられたn側電極とをそれぞれが含む3つ以上のチップと、第1の面上に設けられた同種類の蛍光体層とを備えている。チップは、平面視で中央に位置する中央チップと、中央チップを挟んで対称配置された少なくとも2つの周辺チップとを有する。周辺チップ間で第1の面上の蛍光体層の厚さは同じであり、中央チップの第1の面上の蛍光体層と、周辺チップの第1の面上の蛍光体層とは、厚さが異なる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面とその反対側に形成された第2の面と発光層とを含む半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極とをそれぞれが含む3つ以上のチップと、 前記チップの前記第1の面上に設けられた同種類の蛍光体層と、 を備え、 前記チップは、 平面視で中央に位置する中央チップと、 前記平面視で前記中央チップを挟んで対称配置された少なくとも2つの周辺チップと、 を有し、 前記周辺チップ間で前記第1の面上の前記蛍光体層の厚さは同じであり、 前記中央チップの前記第1の面上の前記蛍光体層と、前記周辺チップの前記第1の面上の前記蛍光体層とは、厚さが異なる半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/20 ,  H01L 33/50
FI (2件)：
H01L33/00 170 ,  H01L33/00 410
Fターム (27件)：
5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB22 ,  5F041CB36 ,  5F041EE22 ,  5F141AA05 ,  5F141AA11 ,  5F141CA04 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA76 ,  5F141CA77 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB22 ,  5F141CB36
引用特許：
審査官引用 (4件)
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