特許
J-GLOBAL ID：201103023124452540
発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-113247
公開番号（公開出願番号）：特開2011-155315
出願日： 2011年05月20日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：
【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、発光装置の製造方法では、基板と、基板に隣接する第1の面と、第1の面とは反対側の第2の面と、発光層とをそれぞれ有する複数の積層体と、第2の面に形成されたp側電極及びn側電極と、p側電極及びn側電極の上に形成され、p側電極に通じる第1の開口と、n側電極に通じる第2の開口とを有する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、第1の開口を通じてp側電極と接続されたp側金属配線層と、p側金属配線層に対して離間して絶縁膜上に設けられ、第2の開口を通じてn側電極と接続されたn側金属配線層と、を含むウェーハ状態の積層構造における第1の面側に蛍光体を含有する層を形成する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板に隣接する第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、発光層とをそれぞれ有する複数の積層体と、
前記第2の面に形成されたp側電極及びn側電極であって、そのうちの一方の電極は前記発光層の上方に形成され、他方の電極は前記発光層を含まない前記積層体の上に形成されたp側電極及びn側電極と、
前記p側電極及びn側電極の上に形成され、前記p側電極に通じる第1の開口と、前記n側電極に通じる第2の開口とを有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第1の開口を通じて前記p側電極と接続されたp側金属配線層と、
前記p側金属配線層に対して離間して前記絶縁膜上に設けられ、前記第2の開口を通じて前記n側電極と接続されたn側金属配線層と、
を含むウェーハ状態の積層構造における前記第1の面側に、蛍光体を含有する層を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA11
, 5F041AA31
, 5F041AA47
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CB14
, 5F041DA03
, 5F041DA09
, 5F041DA92
, 5F041EE25
, 5F041FF11
