特許
J-GLOBAL ID：201303038939695570

半導体ウエハの処理方法

発明者：
大橋 仁

大橋 仁 について

, 
泉 直史

泉 直史 について


出願人/特許権者：
リンテック株式会社

リンテック株式会社 について


代理人 (1件)： 前田・鈴木国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-243791
公開番号（公開出願番号）：特開2013-034011
出願日： 2012年11月05日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】 半導体ウエハの搬送や裏面研削等の加工を施す際に、半導体ウエハを安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、半導体ウエハを破損することなく剥離することができ、厚み精度の高い半導体ウエハの処理方法を提供すること。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハの処理方法は、 厚みが300〜1000μmであり、NaイオンおよびKイオンから選ばれる1種以上のイオンによりイオン交換処理して化学強化された圧縮応力層を有し、最大曲げ角度が30度以上である可撓性ガラス基板上に、半導体ウエハを再剥離可能に固定する工程、 前記半導体ウエハに処理を行う工程、 前記半導体ウエハ側を支持手段により固定する工程、および 前記可撓性ガラス基板を湾曲させて半導体ウエハから剥離する工程を含むことを特徴としている。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
厚みが300〜1000μmであり、NaイオンおよびKイオンから選ばれる1種以上のイオンによりイオン交換処理して化学強化された圧縮応力層を有し、最大曲げ角度が30度以上である可撓性ガラス基板上に、半導体ウエハを再剥離可能に固定する工程、 前記半導体ウエハに処理を行う工程、 前記半導体ウエハ側を支持手段により固定する工程、および 前記可撓性ガラス基板を湾曲させて半導体ウエハから剥離する工程を含む、半導体ウエハの処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/304
FI (2件)：
H01L21/68 N ,  H01L21/304 622J
Fターム (27件)：
5F057AA05 ,  5F057AA12 ,  5F057AA35 ,  5F057BA11 ,  5F057CA14 ,  5F057CA25 ,  5F057DA11 ,  5F057EC10 ,  5F057FA15 ,  5F057FA22 ,  5F057FA30 ,  5F131AA02 ,  5F131AA03 ,  5F131BA32 ,  5F131BA52 ,  5F131BA53 ,  5F131CA09 ,  5F131CA23 ,  5F131EC32 ,  5F131EC33 ,  5F131EC43 ,  5F131EC44 ,  5F131EC53 ,  5F131EC54 ,  5F131EC55 ,  5F131EC62 ,  5F131EC76
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (4件)
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