特許
J-GLOBAL ID:201303039000214355
熱電材料及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-036025
公開番号(公開出願番号):特開2013-211540
出願日: 2013年02月26日
公開日(公表日): 2013年10月10日
要約:
【課題】素子応用を視野にSBNを多結晶とすると、SBNのキュリー温度(Tc: 組成により60-200°C)近傍で、試料内部粒界でのPTCR(正の比抵抗温度係数: Positive Temperature Coefficient of Resistivity)効果による導電率の低下が予想される。【解決手段】タングステンブロンズ型金属酸化物を還元することにより熱電特性を発現するセラミックス還元体であることを特徴とする熱電材料とすることにより、比較的高い温度領域においても高い導電率を有する熱電材料を提供することができる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
タングステンブロンズ型金属酸化物を還元することにより熱電特性を発現するセラミックス還元体であることを特徴とする熱電材料。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (11件):
4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA04
, 4G030AA10
, 4G030AA16
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030BA01
, 4G030BA21
, 4G030GA27
, 4G030GA34
引用特許: