半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-031583
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168549
出願日： 2012年02月16日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】電界の集中を抑え、安定した耐圧が得られる高耐圧の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上の半導体エピタキシャル層12の厚み方向一方側の表面近傍部に第2導電型半導体領域13を形成する。第2導電型半導体領域13よりも半導体エピタキシャル層12の外周端側に、複数の接合終端(FLR)領域15を形成する。複数のFLR領域15は、互いに離間して環状に形成され、第2導電型を有する。各FLR領域15の径方向の内方側および外方側に、各FLR領域15に接して、第2導電型の電界緩和領域16を形成する。このとき、電界緩和領域16における第2導電型の不純物の濃度を、FLR領域15における第2導電型の不純物の濃度の1/10以下とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する半導体基板と、前記半導体基板の厚み方向一方側の表面上に設けられ、第1の導電型を有する半導体エピタキシャル層と、前記半導体エピタキシャル層の厚み方向一方側の表面近傍部の一部分に形成され、第2の導電型を有する第2導電型の半導体領域と、前記半導体エピタキシャル層の厚み方向一方側の表面近傍部のうち、前記第2導電型の半導体領域よりも前記半導体エピタキシャル層の外周端側の部分に、互いに離間して環状に形成され、第2の導電型を有する複数の接合終端領域と、各前記接合終端領域の径方向の内方側および外方側に、前記接合終端領域に接して形成され、第2導電型を有する電界緩和領域と、前記第2導電型の半導体領域上および前記接合終端領域上に設けられる保護膜とを備え、前記電界緩和領域における前記第2導電型の不純物の濃度は、前記接合終端領域における前記第2導電型の不純物の濃度の1/10以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/329 , H01L 29/06 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L29/91 D , H01L29/91 B , H01L29/06 301G , H01L29/91 F , H01L29/48 E , H01L29/78 652P

Fターム (7件)：

4M104AA03 , 4M104FF34 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-006247 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-035752 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-140546 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社

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