特許

J-GLOBAL ID：201303039682152496

第四族金属含有フィルムの堆積方法

発明者： セルゲイ ブラジミロビッチ イバノフ ,  シンチャン レイ ,  ハンソン チェン ,  ダニエル ピー.スペンス ,  キム ム-スン
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  関根 宣夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-179233
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256926
出願日： 2012年08月13日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。【解決手段】M(OR1)(OR2)(R3C(O)C(R4)C(O)XR5y)2(ここで、Mは、第四族金属であり;R1及びR2は、直鎖又は分岐鎖のC1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ;R3は、直鎖又は分岐鎖のC1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択されることができ;R4は、水素、C1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され;R5は、C1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され;XはO又はNであるが、X=Oの場合、y=1であり且つR1、2及び5が同じとなり、X=Nの場合、y=2であり、且つ各R5は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる)。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

チタン、ハフニウム及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも一つの金属を含有するフィルムを、原子層堆積の条件の下で基材上に堆積させる方法であって、前記基材と次の式を有する組成物とを接触させることを含む、金属含有フィルムの堆積方法:

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/40

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Fターム (19件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA10 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いた金属含有膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-020477   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び金属化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-378872   出願人：株式会社ADEKA
• 新規ジルコニウム化合物、触媒及びポリウレタン製造のためのその使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-520010   出願人：ジョンソンマッセイパブリックリミテッドカンパニー
• ゲート絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-003336   出願人：パナソニック株式会社
• ハフニウム含有高誘電率誘電材料の原子層堆積装置および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-513372   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 積層体およびその製造方法ならびに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-000975   出願人：JSR株式会社

引用文献：

出願人引用 (3件)

• Precursors for metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) of ZrO2 and HfO2 thin films as gate d
• Rational Development of Precursors for MOCVD of TiO2:
• MOCVD of ZrO2 and HfO2 Thin Films from Modified Monomeric Precursors