特許
J-GLOBAL ID：200903021416571220
ハフニウム含有高誘電率誘電材料の原子層堆積装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-513372
公開番号（公開出願番号）：特表2007-537360
出願日： 2005年05月12日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
本発明の実施形態は、原子層堆積(ALD)等の気相堆積プロセス中に基板上に材料を堆積する装置と方法を提供する。一実施形態では、チャンバが、チャンバ蓋内に直接またはその上に取り付けられた漏斗状ライナー内に形成された断熱材料内に形成された膨張チャネルを収容している。チャンバは、膨張チャネル内でガス入口に結合され、渦、螺旋、渦巻等の円方向にガス流を提供するように位置決めされた少なくとも1個の導管をさらに含んでいる。チャンバは、保持リング、上プロセスライナー、下プロセスライナーまたはスリップ弁ライナーを収容することができる。ライナーは、通例、研磨表面仕上げを有しており、石英ガラスまたはセラミック等の断熱材料を含有している。代替的な実施形態では、堆積システムがALDチャンバに接続された触媒水蒸気発生器を収容する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
基板を処理する装置であって、
プロセスチャンバ内に基板受容表面を有する基板支持部と、
チャンバ蓋であって、
チャンバ蓋の中央部の断熱材料内に形成された膨張チャネルと、
膨張チャネルからチャンバ蓋の周辺部へと延び、基板受容表面をほぼ覆うような形状およびサイズとされたテーパー付き底表面と、
を備えるチャンバ蓋と、
膨張チャネル内で第1のガス入口に結合された第1の導管と、
膨張チャネル内で第2のガス入口に結合された第2の導管と、
を備え、
第1の導管と第2の導管が膨張チャネルを通して円方向にガス流を提供するように位置決めされている、装置。
IPC (5件)：
C23C 16/455
, C23C 16/44
, C23C 16/52
, H01L 21/31
, H01L 21/316
C23C16/455
, C23C16/44 B
, C23C16/52
, H01L21/31 B
, H01L21/316 X
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030AA18
, 4K030BA10
, 4K030BA42
, 4K030BA48
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030JA11
, 4K030JA12
, 4K030KA45
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F045AA04
, 5F045AB31
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045DP03
, 5F045EE02
, 5F045EE17
, 5F045EF01
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC04
, 5F058BD04
, 5F058BD05
, 5F058BD06
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF37
