特許
J-GLOBAL ID:201303039986724542

基板の位置決めオフセットの補正方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-048049
公開番号(公開出願番号):特開2013-141012
出願日: 2013年03月11日
公開日(公表日): 2013年07月18日
要約:
【課題】プラズマ処理中の基板の中心を処理中心により正確に置くことにより、基板の心ずれによって生じるデバイスの欠陥を最小にする方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理チャンバ内の複数の基板の処理方法であって、プラズマ処理チャンバ内で第1の基板を処理する前に表面に、膜を有する第1の基板の厚みを測定し、第1の基板がチャックに対して幾何学中心合わせするように第1の基板を配置し、プラズマ処理を実行し、後処理測定データ点のセットを、少なくとも第1の基板の方位のセットと、第1の基板の幾何学的中心からの距離のセットで生成し、後処理測定データ点のセットと前処理測定データ点のセットから、一定のエッチングレートサークルの中心を決定し、該中心をチャックの処理中心として、その後、基板の処理のためにチャックに複数の基板を配置する際に、そのデータを使用する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
プラズマ処理チャンバ内の複数の基板の処理方法であって、該複数の基板は、該処理中に前記プラズマ処理チャンバのチャックに配置されており、 本処理方法は、第1の基板のために前処理測定データ点のセットを生成させるステップであって、前記第1の基板は、前記複数の基板とは異なっており、前記セットの生成ステップは、前記プラズマ処理チャンバ内で前記第1の基板を処理する前に表面に、膜を有する前記第1の基板の厚みを測定し、該測定は、前記第1の基板の方位のセットと、前記第1の基板の幾何学的中心からの距離のセットとにおいて実行されるステップと、 前記第1の基板が前記チャックに対して幾何学中心合わせするように前記第1の基板を配置するステップと、 前記第1のプラズマ処理チャンバ内で前記第1の基板の前記プラズマ処理を実行するステップと、 前記第1の基板のために後処理測定データ点のセットを生成するステップであって、該後処理測定データ点のセットを生成する前記ステップは、少なくとも前記第1の基板の方位のセットと、前記第1の基板の幾何学的中心からの距離のセットとにおいて実行されるステップと、 前記後処理測定データ点のセットと前記前処理測定データ点のセットから一定のエッチングレートサークルを確認するステップであって、該一定のエッチングレートサークルは、第1のエッチングレートを有したエッチング位置のサークルを表すステップと、 前記一定のエッチングレートサークルの中心を決定するステップであって、該中心は、前記チャックの処理中心を表すステップと、 その後、前記プラズマ処理チャンバ内の前記基板の前記処理のために前記チャックに前記複数の基板を配置する際に前記チャックの前記処理中心に関するデータを使用するステップと、 を含んでいることを特徴とする処理方法。
IPC (1件):
H01L 21/306
FI (1件):
H01L21/302 101G
Fターム (7件):
5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BB18 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004CA08 ,  5F004CB09
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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