特許
J-GLOBAL ID:201303040331023655
プリプレグ、基板および半導体装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-218526
公開番号(公開出願番号):特開2013-030794
出願日: 2012年09月28日
公開日(公表日): 2013年02月07日
要約:
【課題】本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、かつ回路パターンに応じて樹脂量を調整することが可能なプリプレグを提供することにある。また、本発明の目的は、上記プリプレグを有する基板および半導体装置を提供することにある。【解決手段】本発明のプリプレグ10cは、ガラス繊維で構成される繊維基材1と、繊維基材1の一方の面側に位置する第1樹脂層21と、繊維基材1の他方の面側に位置する第2樹脂層22とを有する。第1樹脂層21と第2樹脂層22とは、それぞれ、熱硬化性樹脂と無機充填材とを含む樹脂組成物で構成され、第1樹脂層21の厚さは、第2樹脂層22の厚さより厚い。第1樹脂層21中には回路配線部4が埋設されている。【選択図】図6
請求項(抜粋):
ガラス繊維で構成される繊維基材と、前記繊維基材の一方の面側に位置する第1樹脂層と、前記繊維機材の他方の面側に位置する第2樹脂層とを有し、
前記第1樹脂層および前記第2樹脂層は、それぞれ、熱硬化性樹脂と無機充填材とを含む樹脂組成物で構成されており、
前記無機充填材は、平均粒径0.01〜5.0μmの粒子であり、かつ、その含有量は、前記樹脂組成物全体の40〜80重量%であり、
前記第1樹脂層中に回路配線部が埋設されており、
前記第1樹脂層の厚さをB1[μm]、前記第2樹脂層の厚さをB2[μm]、前記第1樹脂層中に埋設された回路配線部の厚さをt1[μm]、前記回路配線部の残銅率をS[%]、前記回路配線部と前記繊維基材との距離をt2[μm]としたとき、
B2<B1なる関係を満たし、かつ
B1=t2+t1×(1-S/100)なる関係を満たすことを特徴とするプリプレグ。
IPC (5件):
H05K 3/46
, C08J 5/24
, B32B 27/12
, B32B 27/20
, H05K 1/03
FI (6件):
H05K3/46 T
, C08J5/24
, B32B27/12
, B32B27/20 Z
, H05K1/03 630F
, H05K3/46 Q
Fターム (53件):
4F072AA06
, 4F072AB09
, 4F072AD11
, 4F072AD13
, 4F072AD27
, 4F072AE14
, 4F072AE23
, 4F072AF06
, 4F072AF21
, 4F072AG03
, 4F072AG17
, 4F072AH02
, 4F072AH25
, 4F072AJ04
, 4F072AK06
, 4F072AK14
, 4F072AL13
, 4F100AA20
, 4F100AG00A
, 4F100AK01B
, 4F100AK01C
, 4F100AK33
, 4F100AK53
, 4F100BA03
, 4F100BA10B
, 4F100BA10C
, 4F100CA23B
, 4F100CA23C
, 4F100DE01B
, 4F100DE01C
, 4F100DG01A
, 4F100DG12
, 4F100GB41
, 4F100GB43
, 4F100JA02
, 4F100JB13B
, 4F100JB13C
, 5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346CC03
, 5E346CC04
, 5E346CC05
, 5E346CC06
, 5E346CC08
, 5E346CC09
, 5E346CC13
, 5E346CC32
, 5E346DD32
, 5E346EE09
, 5E346GG08
, 5E346HH33
引用特許: