特許

J-GLOBAL ID：201303040684857738

熱電変換材料、熱電変換素子およびその作製方法

発明者： 黒崎 健 ,  プァーデビン ティラユット ,  ハンワングモング アドゥル ,  大石 佑治 ,  牟田 浩明 ,  山中 伸介
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 前井 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-149055
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016685
出願日： 2011年07月05日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】新規な材料で構成された熱電変換素子を提供する。【解決手段】 本発明による熱電変換素子(10)は、n型半導体層(20n)と、p型半導体層(20p)とを備える。p型半導体層(20p)は、CuGaTe2、Cu3Ga5Te9、CuGa3Te5およびCuGa5Te8からなる群から選択された少なくとも1つを含む。熱電変換素子(10)は800K以上の温度下で好適に用いられる。例えば、p型半導体層(20p)はCuGaTe2を含むことが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型半導体層と、 p型半導体層と を備える、熱電変換素子であって、 前記p型半導体層は、CuGaTe2、Cu3Ga5Te9、CuGa3Te5およびCuGa5Te8からなる群から選択された少なくとも1つを含む、熱電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  C01B 19/00

FI (3件)：

H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  C01B19/00 Z