特許
J-GLOBAL ID：201303040771077668
温度センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-076409
公開番号（公開出願番号）：特開2013-205318
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】 TiAlNのサーミスタ材料層と電極層との高い接合性が得られ、さらにフィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高い温度センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 絶縁性基材2と、絶縁性基材上に互いに対向した一対の対向電極部3aを有して形成された一対のパターン電極3と、絶縁性基材上に一対の対向電極部を覆って形成された薄膜サーミスタ部4とを備え、該薄膜サーミスタ部が、TiAlNのサーミスタ材料で形成され、パターン電極の少なくとも対向電極部が、絶縁性基材上に形成されたCr又はNiCrの第1接合層5と、第1接合層上に貴金属で形成された電極層6と、電極層上に直接又はTi層を介して形成されたTiNの第2接合層7とを有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁性基材と、
該絶縁性基材上に互いに対向した一対の対向電極部を有して形成された一対のパターン電極と、
前記絶縁性基材上に一対の前記対向電極部を覆って形成された薄膜サーミスタ部とを備え、
該薄膜サーミスタ部が、TiAlNのサーミスタ材料で形成され、
前記パターン電極の少なくとも前記対向電極部が、前記絶縁性基材上に形成されたCr又はNiCrの第1接合層と、
該第1接合層上に貴金属で形成された電極層と、
該電極層上に直接又はTi層を介して形成されたTiNの第2接合層とを有していることを特徴とする温度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5E034BA09
, 5E034BB08
, 5E034BC20
, 5E034DA02
, 5E034DB01
, 5E034DB20
, 5E034DC01
, 5E034DC05
, 5E034DC09
, 5E034DE16
出願人引用 (8件)
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特開昭62-291001
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サーミスタ用材料及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-111217
出願人：大阪府, 株式会社岡野製作所, 小川倉一, 美馬宏司
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薄膜サーミスタ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-246923
出願人：石塚電子株式会社
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