特許
J-GLOBAL ID：201303041100481193
結晶シリコンインゴットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
, 本田 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-241091
公開番号（公開出願番号）：特開2013-112603
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：
【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層2を利用して、複数のシリコン粒子34が前記核形成促進層2上にシリコン融液32から核形成するとともに、シリコン融液32を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。【選択図】 図2C
請求項（抜粋）：
結晶シリコンインゴットの製造方法であって、
(a)核形成促進層を鋳型の底部上に配置することであって、前記鋳型自体が垂直方向を規定する、前記配置すること、
(b)前記鋳型内部の前記核形成促進層上にシリコン原料を提供すること、
(c)前記シリコン原料が完全にシリコン融液に溶融されるまで前記鋳型を加熱すること、
(d)前記シリコン融液に関する少なくとも一つの熱制御パラメータを継続的に制御して、複数のシリコン粒子が、前記核形成促進層上に前記シリコン融液から核形成するとともに、垂直方向に成長するようにすること、
(e)前記シリコン融液全体を凝固させて前記結晶シリコンインゴットを得るまで前記シリコン融液に関する少なくとも一つの熱制御パラメータを継続的に制御して前記シリコン粒子を前記垂直方向に連続的に成長させること
を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 501Z
, C30B11/14
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072GG05
, 4G072LL03
, 4G072MM38
, 4G072UU02
, 4G077AA02
, 4G077AA08
, 4G077AB02
, 4G077BA04
, 4G077CD04
, 4G077CD08
, 4G077EA01
, 4G077ED02
, 4G077EG20
, 4G077MB33
