特許
J-GLOBAL ID：200903008529478549
太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349980
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194718
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：
【要約】【課題】本発明は、太陽電池用シリコン基板にしても、結晶粒の方位が一方向に揃い、光電効率に優れたものになる太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】高純度の溶融シリコンを鋳型に注入し、該鋳型の底部から上方に向け一方向凝固させるに際し、上記鋳型内の底面に、凝固時の種結晶となるよう単結晶シリコン基板を配置し、その上に溶融シリコンを注ぐ。
請求項（抜粋）：
高純度の溶融シリコンを鋳型に注入し、該鋳型の底部から上方に向け一方向凝固させるに際し、上記鋳型内の底面に、凝固時の種結晶となるよう単結晶シリコン基板を配置し、その上に溶融シリコンを注ぐことを特徴とする太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法。
IPC (3件)：
C01B 33/037
, C30B 11/14
, C30B 29/06 501
C01B 33/037
, C30B 11/14
, C30B 29/06 501 Z
