特許
J-GLOBAL ID：201303041564868902
化合物半導体薄膜の製造方法及び化合物薄膜太陽電池の製造方法
出願人/特許権者：
代理人 (2件)： 栗原 浩之 , 村中 克年
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-099279
特許番号：特許第5320535号
出願日： 2012年04月24日
要約：
【課題】安全且つ安価にセレン化を均一に且つ短時間で行うことができる化合物半導体薄膜の製造方法及び化合物薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基体11上に、銅及びインジウム、又は銅、インジウム及びガリウムからなる反応前駆体薄膜13を形成する工程と、前記反応前駆体薄膜13上に酸化セレンの溶液を塗布して塗布層14を設ける工程と、塗布層14を設けた反応前駆体薄膜13を加熱チャンバー内で急速加熱してセレン化する工程とを含む。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 カルコパイライト型構造からなる化合物半導体薄膜の製造方法において、基体上に、銅及びインジウム、又は銅、インジウム及びガリウムからなる反応前駆体薄膜を形成する工程と、前記反応前駆体薄膜上に酸化セレンの溶液を塗布して塗布層を設ける工程と、塗布層を設けた反応前駆体薄膜を加熱チャンバー内で急速加熱してセレン化する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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光電変換素子及びその製造法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2008-216833 出願人：日本特殊陶業株式会社 -
化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平9-146388 出願人：矢崎総業株式会社 -
酸化物に基づき、化合物半導体膜を製造し、更に関連する電子デバイスを製造する方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平11-171880 出願人：インターナショナルソーラーエレクトリックテクノロジー,インコーポレイテッド
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