特許
J-GLOBAL ID：201303041870506380

銅をケミカルメカニカルポリッシングするための方法

発明者：
チェンチュ・イェ

チェンチュ・イェ について


出願人/特許権者：
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド

ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 津国 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-173340
公開番号（公開出願番号）：特開2013-042132
出願日： 2012年08月03日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：
【課題】非選択的な低い欠陥性のケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、銅を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法を提供する。【解決手段】銅を含む基板を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること;研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること;及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み;ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって: 銅を含む基板を提供すること; ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物(初期成分として、 水; 0.1〜20重量%の砥粒; 0.01〜15重量%の錯化剤; 0.02〜5重量%のインヒビター; 0.01〜5重量%のリン含有化合物; 0.001〜3重量%のポリビニルピロリドン; >0.1〜1重量%のヒスチジン; >0.1〜1重量%のグアニジン(ここで、グアニジンは、グアニジン、グアニジン誘導体、グアニジン塩及びこれらの混合物から選択される); 0〜25重量%の任意の酸化剤; 0〜0.1重量%の任意のレベリング剤; 0〜0.01重量%の任意の殺生物剤;及び 任意のpH調整剤を含む)を提供すること(ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、9〜11のpHを有する); 研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること; ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること;及び ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み;ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/24 ,  C09K 3/14
FI (6件)：
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  H01L21/304 622F ,  B24B37/00 L ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (22件)：
3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F057AA07 ,  5F057AA28 ,  5F057BA21 ,  5F057BB23 ,  5F057BB25 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA21 ,  5F057EA22 ,  5F057EA23 ,  5F057EA25 ,  5F057EA26 ,  5F057EA29 ,  5F057EA33
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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