特許
J-GLOBAL ID：201003090236866144
1次化学的機械的研磨用スラリー組成物および化学的機械的研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
実広 信哉
, 渡部 崇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-274699
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135792
出願日： 2009年12月02日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】本発明は、優れた研磨率および研磨選択比と共に、より向上したウェハー内の研磨均一度(WIWNU;Within Wafer Non-Uniformity)を達成することができるようにする、1次化学的機械的研磨用スラリー組成物および化学的機械的研磨方法に関する。【解決手段】前記1次化学的機械的研磨用スラリー組成物は、研磨粒子;酸化剤;有機酸;所定の腐蝕抑制剤;および重量平均分子量3,000乃至100,000のポリビニルピロリドンを含む高分子添加剤;を含み、銅膜に対する研磨率:タンタル膜に対する研磨率が30:1以上の研磨選択比を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
研磨粒子;酸化剤;有機酸;ピリジン系化合物、ピラゾール系化合物、およびキノリン系化合物からなるグループより選択される少なくとも1種以上の腐蝕抑制剤;および重量平均分子量3,000乃至100,000であるポリビニルピロリドンを含む高分子添加剤;を含み、
銅膜に対する研磨率:タンタル膜に対する研磨率が30:1以上の研磨選択比を有する、1次化学的機械的研磨用スラリー組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550C
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CA05
, 3C058CB01
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
