特許

J-GLOBAL ID：201303041917872240

電子スイッチング素子またはトランジスタの電極を基板上に形成する方法

発明者： ヘニング シリンガス ,  リチャード ヘンリー フレンド ,  川瀬 健夫
出願人/特許権者： プラスティック ロジック リミテッド ,  セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 小谷 悦司 ,  植木 久一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-547679
特許番号：特許第5014547号
出願日： 2000年12月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】トランジスタのソース電極およびドレイン電極を基板上に形成する方法であって、前記方法が、 電極材料を液体と混合することによって混合物を形成し、 前記基板の第1の領域の第1のゾーンと、前記第1のゾーンより小さい前記混合物に対する撥液性を有する前記基板の第2の領域の第2のゾーンと、前記第1の領域によって前記第2の領域から離隔された前記基板の第3の領域、前記第1のゾーンより小さい前記混合物に対する撥液性を有する第3のゾーンとを含む閉じ込め構造を前記基板上に形成することと、 前記混合物が、前記第1のゾーンの相対的な撥液性によって第2の領域と第3の領域に閉じ込められ、かつ、前記基板の前記第1の領域にないように前記基板の上に前記混合物をドロップレット付着することを特徴とする方法。

IPC (7件)：

H01L 21/288 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  B41J 2/01 ( 200 6.01) ,  B41J 2/05 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 21/288 Z ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/50 M ,  H01L 21/28 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 V ,  B41J 3/04 101 Z ,  B41J 3/04 103 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機EL素子用組成物および有機EL素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-191681   出願人：セイコーエプソン株式会社