特許
J-GLOBAL ID：201303042083889104
金属箔から半導体チップを剥離する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
▲吉▼川 俊雄
, 市川 寛奈
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-053218
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214739
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】隣接する半導体チップの機械的負荷の影響を低減し、金属箔からの半導体チップ剥離を促進する。【解決手段】直線状支持エッジおよびL字型支持エッジを有するプレート8を備えるダイエジェクタを使用し:カバープレート3の表面上方に高さH1までプレートを持ち上げること;L字型支持エッジを有する第1の1対のプレートを下げること;任意選択で、L字型支持エッジを有する第2の1対のプレートを下げること;まだ下げられていないプレートを高さH2>H1まで持ち上げること;まだ下げられていないプレートをずらして下げ、少なくとも1つまたはいくつかのプレートが下げられていないこと;任意選択で、まだ下げられていないプレートを高さH3<H2まで下げること;すべてのプレートが下げられるまでプレートを下げること、およびチップグリッパを離すことを備え、チップグリッパは、最後の3つのプレートを下げる前に半導体チップ5に接触する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
チップグリッパ(16)およびダイエジェクタ(1)を用いて金属箔(4)から半導体チップ(5)を剥離する方法であって、前記ダイエジェクタ(1)は、直線状支持エッジを有する第1のプレート(8A)およびL字型支持エッジを有する第2のプレート(8B、8C)を備え、前記プレート(8A、8B、8C)の支持エッジ(19)は、最初の位置で、前記金属箔(4)が載る支持平面を形成し、前記方法は:
A)前記プレート(8A、8B、8C)を持ち上げるステップであって、その結果、前記プレート(8A、8B、8C)の前記支持エッジ(19)はカバープレート(3)の表面(12)の上方に高さH1を占めるステップ;
B)L字型支持エッジを有する第1の1対のプレート(8B)を下げるステップ;
C)任意選択で、L字型支持エッジを有する第2の1対のプレート(8C)を下げるステップ;
D)まだ下げられていない前記プレートを持ち上げるステップであって、その結果、まだ下げられていない前記プレートの前記支持エッジ(19)が、前記カバープレート(3)の前記表面(12)の上方に高さH2>H1を占めるステップ;
E)まだ下げられていない前記プレートを特定の順序でずらして下げ、少なくとも1つまたはいくつかの前記プレート(8A)が下げられていないステップ;
F)任意選択で、少なくとも、まだ下げられていない前記プレートを下げるステップであって、その結果、まだ下げられていない前記プレートの前記支持エッジ(19)が、前記カバープレート(3)の前記表面(12)の上方に高さH3<H2を占めるステップ;
G)すべての前記プレート(8A、8B、8C)が下げられるまで、まだ下げられていない前記プレートを下げるステップ、および
H)前記半導体チップ(5)と共に前記チップグリッパ(16)を離すステップ
を備え、前記チップグリッパ(16)は、前記半導体チップ(5)の上方に配置され、少なくとも、前記最後の3つのプレート(8A)を下げる前に前記半導体チップ(5)に接触するまで下げられる方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/52 C
, H01L21/68 E
5F047FA01
, 5F047FA04
, 5F047FA08
, 5F131AA04
, 5F131BA54
, 5F131DA03
, 5F131DB22
, 5F131DB27
, 5F131EB01
, 5F131EB72
, 5F131EC32
, 5F131EC74
出願人引用 (6件)
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半導体チップの剥離方法及び装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-325113
出願人：富士通株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-200101
出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ
-
チップ突き上げ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-352383
出願人：澁谷工業株式会社
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