特許

J-GLOBAL ID：201303042893190123

有機薄膜トランジスタの評価方法

発明者： 長谷川 達生 ,  松井 弘之 ,  堤 潤也 ,  山田 寿一 ,  金井 直之
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-132799
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004637
出願日： 2011年06月15日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

【課題】処有機薄膜トランジスタのチャネル領域の電荷状態の微視的様相を観測でき、電荷トラップなどの欠陥による電荷密度の変化を捉えることが可能な、有機薄膜トランジスタの評価方法を提供する。【解決手段】基板上にゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜層と、有機半導体層とを備え、前記電極を介して印加する電圧によって該電極で画されたチャネル領域の電荷状態が制御を受ける薄膜トランジスタの評価方法であって、前記電極を通じて矩形波または正弦波により時間振動する変調電圧を印加するとともに、前記チャネル領域にレーザー光を照射してその透過光を得、前記変調電圧の高電圧時における透過光強度(T)と、該透過光強度(T)から前記変調電圧の低電圧時における透過光強度を差し引いた値(ΔT)を測定して、それらの値(TとΔT)に基づいて前記チャネル領域の電荷密度分布を求める。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜層と、有機半導体層とを備え、前記電極を介して印加する電圧によって該電極で画されたチャネル領域の電荷状態が制御を受ける薄膜トランジスタの評価方法であって、前記電極を通じて矩形波または正弦波により時間振動する変調電圧を印加するとともに、前記チャネル領域にレーザー光を照射してその透過光を得、前記変調電圧の高電圧時における透過光強度(T)と、該透過光強度(T)から前記変調電圧の低電圧時における透過光強度を差し引いた値(ΔT)を測定して、それらの値(TとΔT)に基づいて前記チャネル領域の電荷密度分布を求めることを特徴とする有機薄膜トランジスタの評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/78 624 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A

Fターム (26件)：

5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多層構造を有する素子、その素子の製造装置、及びその素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-104690   出願人：松下電器産業株式会社
• 膜厚測定方法ならびにその方法を用いた膜厚計
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-284132   出願人：脇田昭平
• 圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-377071   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Visualization of accumulated charge density in operating organicthin-film transistors