特許
J-GLOBAL ID:201303042945256411
薄膜素子用基板、薄膜素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および電子ペーパー
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-047726
公開番号(公開出願番号):特開2013-182853
出願日: 2012年03月05日
公開日(公表日): 2013年09月12日
要約:
【課題】本発明は、基板を貫通する導通部を備える薄膜素子用基板であって、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、薄膜素子に用いられる薄膜素子用基板であって、絶縁層貫通孔を有し、表面粗さRaが5nm以下の絶縁層と、上記絶縁層貫通孔に充填された第1導通部と、上記薄膜素子用基板の厚み方向に形成され、上記薄膜素子用基板の表裏を導通し、少なくとも上記第1導通部を有する導通部とを有することを特徴とする薄膜素子用基板を提供することにより、上記目的を達成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
薄膜素子に用いられる薄膜素子用基板であって、
絶縁層貫通孔を有し、表面粗さRaが5nm以下の絶縁層と、
前記絶縁層貫通孔に充填された第1導通部と、
前記薄膜素子用基板の厚み方向に形成され、前記薄膜素子用基板の表裏を導通し、少なくとも前記第1導通部を有する導通部と
を有することを特徴とする薄膜素子用基板。
IPC (6件):
H05B 33/02
, H05B 33/06
, H01L 51/50
, H05B 33/04
, G09F 9/30
, H01L 27/32
FI (6件):
H05B33/02
, H05B33/06
, H05B33/14 A
, H05B33/04
, G09F9/30 310
, G09F9/30 365Z
Fターム (36件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107CC21
, 3K107CC22
, 3K107CC23
, 3K107CC24
, 3K107CC25
, 3K107CC29
, 3K107CC33
, 3K107CC36
, 3K107CC45
, 3K107DD03
, 3K107DD13
, 3K107DD15
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107DD18
, 3K107DD38
, 3K107DD39
, 3K107DD44Z
, 3K107EE03
, 3K107EE42
, 3K107FF02
, 3K107FF05
, 3K107FF08
, 5C094AA33
, 5C094AA36
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094EB01
, 5C094FA04
, 5C094JA08
, 5C094JA20
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (3件)
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