特許

J-GLOBAL ID：201303043078106122

ダイオード

発明者： 丹羽 史和
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-284375
公開番号（公開出願番号）：特開2013-135078
出願日： 2011年12月26日
公開日（公表日）： 2013年07月08日
要約：

【課題】 ディープ領域を有するとともにリカバリ耐量が高いダイオードを提供する。【解決手段】 半導体基板を有するダイオードであって、半導体基板は、半導体基板の上面に露出する範囲に形成されたp型のアノード領域と、前記上面に露出する範囲に形成されており、アノード領域と繋がっており、アノード領域よりも深い位置まで広がるp型のディープ領域と、半導体基板の端部とディープ領域との間の外周領域と、アノード領域及びディープ領域の下側、及び、外周領域内に広がるn型のカソード領域を有する。前記上面に露出する範囲において、アノード領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度が、外周領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度よりも低い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を有するダイオードであって、 半導体基板は、 半導体基板の上面に露出する範囲に形成されたp型のアノード領域と、 前記上面に露出する範囲に形成されており、アノード領域と繋がっており、アノード領域よりも深い位置まで広がるp型のディープ領域と、 アノード領域及びディープ領域の下側、及び、半導体基板の端部とディープ領域との間の外周領域内に広がるn型のカソード領域、 を有しており、 前記上面に露出する範囲において、アノード領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度が、外周領域に近い側のディープ領域の平均p型不純物濃度よりも低い、 ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329

FI (2件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/91 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-201116   出願人：トヨタ自動車株式会社
• ダイオード及び電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-283790   出願人：株式会社日立製作所