特許
J-GLOBAL ID：201303044013166809
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-020949
公開番号（公開出願番号）：特開2013-159798
出願日： 2012年02月02日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】異常放電の発生や、膜の不均一性を抑止するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】プラズマCVD装置100は、チャンバー1と、チャンバー内に設置され基板を保持するホルダー2と、チャンバー内に設置されホルダーに対して基板を挟んで対向する多孔性の電極板3と、電極板の基板に対向する面の反対面側に設置されて複数の原料ガス6を供給する第1供給口8aと、第1供給口から供給される複数の原料ガスの流量比を制御する第1制御部71と、電極板の反対面側であって電極板の外周上に第1供給口を取り囲むように設置されて複数の原料ガスを供給する第2供給口8bと、第2供給口から供給される複数の原料ガスの流量比を制御する第2制御部72を備え、複数の原料ガスを第1および第2供給口から電極板の孔を介してホルダー側に供給して電極板に高周波電界を印加することでプラズマ放電を発生させ、基板の表面に薄膜を成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバーと、
前記チャンバー内に設置され、基板を保持する基板ホルダーと、
前記チャンバー内に設置され、前記基板ホルダーに対して前記基板を挟んで対向する多孔性の電極板と、
前記電極板の前記基板に対向する面の反対面側に設置されて複数の原料ガスを供給する第1ガス供給口と、
前記第1ガス供給口から供給される複数の前記原料ガスの流量比を制御する第1制御部と、
前記電極板の前記反対面側であって前記電極板の外周上に前記第1ガス供給口を取り囲むように設置されて複数の前記原料ガスを供給する第2ガス供給口と、
前記第2ガス供給口から供給される複数の前記原料ガスの流量比を制御する第2制御部と、
を備え、
複数の前記原料ガスを前記第1ガス供給口および前記第2ガス供給口から前記電極板の孔を介して前記基板ホルダー側に供給して前記電極板に高周波電界を印加することでプラズマ放電を発生させ、前記基板の表面に薄膜を成膜することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/455
, C23C 16/509
, H01L 21/31
C23C16/455
, C23C16/509
, H01L21/31 C
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030CA17
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030FA03
, 4K030KA02
, 5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AD09
, 5F045BB01
, 5F045DP13
, 5F045DP15
, 5F045DQ10
, 5F045EF01
, 5F045EF05
, 5F045EF09
, 5F045EH05
, 5F045EH14
, 5F045EK07
