特許

J-GLOBAL ID：201303044134281389

III族金属窒化物単結晶の製造方法およびテンプレート基板

発明者： 岩井 真 ,  東原 周平
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-269338
公開番号（公開出願番号）：特開2013-063908
出願日： 2012年12月10日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。【解決手段】 成膜面2bと加工凹部8とが設けられている基板本体1に対して、成膜面2bおよび加工凹部8を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜4A、4B、5を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶6を育成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板本体に成膜面と側壁面とが設けられた突起および加工凹部を形成する基板加工工程、 前記基板本体に対して、前記成膜面、前記側壁面および前記加工凹部を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜を成膜し、前記下地膜が、前記成膜面上の種結晶膜と、前記側壁面および前記加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する種結晶形成工程、および 前記下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成し、この際隣接する前記突起から成長するIII 族金属窒化物単結晶のa面同士を互いに会合させる単結晶育成工程 を備えていることを特徴とする、III 族金属窒化物単結晶の育成方法。

IPC (3件)：

C30B 19/04 ,  C30B 19/12 ,  C30B 29/38

FI (3件)：

C30B19/04 ,  C30B19/12 ,  C30B29/38 D

Fターム (24件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CC02 ,  4G077CC04 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EG14 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA22 ,  4G077QA29 ,  4G077QA77 ,  4G077QA79

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社
• 半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-075223   出願人：豊田合成株式会社, 日本碍子株式会社, 国立大学法人大阪大学