特許
J-GLOBAL ID：201303044505985406

薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサー

発明者：
胡 春華

胡 春華 について

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劉 長洪

劉 長洪 について

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▲ハン▼ 守善

▲ハン▼ 守善 について


出願人/特許権者：
ツィンファ ユニバーシティ

ツィンファ ユニバーシティ について

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鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-056906
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016778
出願日： 2012年03月14日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。ものである。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が0.1MPa〜10MPaである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む薄膜トランジスタにおいて、 前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置され、 前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続され、 前記半導体層は、弾性率が0.1MPa〜10MPaである高分子複合材料層であり、 前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなり、 前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/84 ,  H01L 29/06 ,  G01L 9/00
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/84 C ,  H01L29/06 601N ,  G01L9/00 309
Fターム (57件)：
2F055AA39 ,  2F055BB20 ,  2F055CC59 ,  2F055DD05 ,  2F055EE39 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG11 ,  4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AC03B ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146AD37 ,  4M112AA01 ,  4M112BA03 ,  4M112CA41 ,  4M112CA42 ,  4M112CA51 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA08 ,  4M112EA11 ,  4M112EA12 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112FA01 ,  4M112FA20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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