特許
J-GLOBAL ID：201303044906566805

光センサ

発明者：
カマルゴ エジソン ゴメス

カマルゴ エジソン ゴメス について


出願人/特許権者：
旭化成エレクトロニクス株式会社

旭化成エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-069631
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201347
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】被検出光を効率良く利用し、高いS/N比を有した光センサを提供する。【解決手段】基板1と、基板1の第1の面41上に形成された第1導電型の半導体層2を含む第1のメサ部21と、第1のメサ部21上に形成され、第2導電型の半導体層4を少なくとも備える第2のメサ部22とを備えたPN又はPIN接合のフォトダイオード構造部を有する半導体積層部とを備え、光がフォトダイオード構造部に入射することにより光起電力を生成する光センサであって、基板の第1の面41のうち、第1のメサ部21に接している領域における第1の平均二乗粗度は、第1のメサ部21に接していない領域における第2の平均二乗粗度よりも小さく、光は基板において第1の面41に対抗する面である第2の面42から入射する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の第1の面上に形成された第1導電型の半導体層を含む第1のメサ部と、前記第1のメサ部上に形成され、第2導電型の半導体層を少なくとも備える第2のメサ部とを備えたPN又はPIN接合のフォトダイオード構造部を有する半導体積層部と を備え、光が前記フォトダイオード構造部に入射することにより光起電力を生成する光センサであって、 前記基板の前記第1の面のうち、前記第1のメサ部に接している領域における第1の平均二乗粗度は、前記第1のメサ部に接していない領域における第2の平均二乗粗度よりも小さく、 前記光は、前記基板において前記第1の面に対抗する面である第2の面から入射することを特徴とする光センサ。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (5件)：
5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049PA01 ,  5F049QA06 ,  5F049SE20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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