特許
J-GLOBAL ID：201303045203444500

半導体レーザモジュール及びその製造方法

発明者：
澤田 昌幸

澤田 昌幸 について

, 
長島 靖明

長島 靖明 について

, 
大貫 紳一

大貫 紳一 について


出願人/特許権者：
アンリツ株式会社

アンリツ株式会社 について


代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061825
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197256
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】ペルチェ素子などの温度調整素子を用いることなく、周囲温度の変化による光出力の変動を抑制することができる半導体レーザモジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ3と、半導体レーザ3を支持固定するための保持ブロック14と、半導体レーザ3と保持ブロック14との間に配置されるヒートシンク15と、半導体レーザ3から出射された光が入射する光ファイバ10と、を備え、保持ブロック14とヒートシンク15とは熱膨張係数が異なる材質で構成され、保持ブロック14とヒートシンク15とがバイメタル効果によって変形する所定の周囲温度において、半導体レーザ3と光ファイバ10とが、半導体レーザ3と光ファイバ10との結合効率が所定値以上となる位置で固定されてなり、半導体レーザ3と光ファイバ10との結合効率が、少なくとも所定の周囲温度以下で周囲温度の下降に応じて減少する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体発光素子(3)と、 前記半導体発光素子を支持固定するための固定部材(14、44)と、 前記半導体発光素子と前記固定部材との間に配置されるヒートシンク(15、45)と、 前記半導体発光素子から出射された光が入射する光ファイバ(10、41)と、を備える半導体レーザモジュール(1、2)であって、 前記固定部材と前記ヒートシンクとは熱膨張係数が異なる材質で構成され、 前記固定部材と前記ヒートシンクとがバイメタル効果によって変形する所定の周囲温度において、前記半導体発光素子と前記光ファイバとが、当該半導体発光素子と当該光ファイバとの結合効率が所定値以上となる位置で固定されてなり、 前記半導体発光素子と前記光ファイバとの結合効率が、少なくとも前記所定の周囲温度以下で周囲温度の下降に応じて減少することを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (1件)：
H01S 5/022
FI (1件)：
H01S5/022
Fターム (9件)：
5F173MA02 ,  5F173MA04 ,  5F173MB01 ,  5F173MC13 ,  5F173MD09 ,  5F173MD18 ,  5F173ME23 ,  5F173MF03 ,  5F173MF39
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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