特許
J-GLOBAL ID:201303045248120659
選択エミッタを含む、ソーラーセルの製造のための工程
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
葛和 清司
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-535648
公開番号(公開出願番号):特表2013-509695
出願日: 2010年10月01日
公開日(公表日): 2013年03月14日
要約:
本発明は、大幅に改良されたシリコン層に関する選択性を有する、改良されたエッチングペースト組成物を利用した、選択エミッタを含むソーラーセルの製造方法に関する。
請求項(抜粋):
ワンステップ蒸着の選択エミッタを含むソーラーセルの製造のための工程であって、リン珪酸ガラス層(PSGまたはPSG層)および下層のシリコン層が、印刷エッチングペーストでのシングルエッチングステップでエッチングされることを特徴とする、前記工程。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L31/04 A
, H01L21/308 D
, H01L21/308 E
Fターム (21件):
5F043AA02
, 5F043AA36
, 5F043BB03
, 5F043BB04
, 5F043BB24
, 5F043DD30
, 5F043EE40
, 5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA16
, 5F151CB18
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151CB27
, 5F151DA03
, 5F151FA10
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
引用特許:
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