特許
J-GLOBAL ID:200903066207938870

二酸化シリコンおよび基礎のシリコンのためのエッチングとドーピング用の複合媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 葛和 清司 ,  望月 史郎
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-520731
公開番号(公開出願番号):特表2009-501436
出願日: 2006年06月13日
公開日(公表日): 2009年01月15日
要約:
本発明は、第1に、二酸化シリコンのエッチングと基礎シリコン層のドーピングのために適したHF/フッ化物を用いないエッチングおよびドーピング媒体に関する。また本発明は、第2に、これらの媒体を用いた方法に関する。
請求項(抜粋):
太陽電池において二酸化シリコンの不動態化および反射防止層のエッチング方法であって、リン酸またはその塩を含有するエッチング媒体を、表面全体にわたって、またはエッチングされる表面領域に対して選択的に、単一の工程ステップで適用することを特徴とする、前記方法。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (2件):
H01L31/04 L ,  H01L31/04 F
Fターム (7件):
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB21 ,  5F051CB22 ,  5F051CB24
引用特許:
審査官引用 (14件)
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