特許
J-GLOBAL ID:200903066207938870
二酸化シリコンおよび基礎のシリコンのためのエッチングとドーピング用の複合媒体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
葛和 清司
, 望月 史郎
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-520731
公開番号(公開出願番号):特表2009-501436
出願日: 2006年06月13日
公開日(公表日): 2009年01月15日
要約:
本発明は、第1に、二酸化シリコンのエッチングと基礎シリコン層のドーピングのために適したHF/フッ化物を用いないエッチングおよびドーピング媒体に関する。また本発明は、第2に、これらの媒体を用いた方法に関する。
請求項(抜粋):
太陽電池において二酸化シリコンの不動態化および反射防止層のエッチング方法であって、リン酸またはその塩を含有するエッチング媒体を、表面全体にわたって、またはエッチングされる表面領域に対して選択的に、単一の工程ステップで適用することを特徴とする、前記方法。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L31/04 L
, H01L31/04 F
Fターム (7件):
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051CB13
, 5F051CB18
, 5F051CB21
, 5F051CB22
, 5F051CB24
引用特許:
審査官引用 (14件)
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エッチングおよびドーピング複合物質
公報種別:公表公報
出願番号:特願2003-537127
出願人:メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
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改善された酸化物エッチング
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-205755
出願人:アギアシステムズガーディアンコーポレーション
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特開昭63-307743
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特開昭63-307743
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-022676
出願人:三菱電機株式会社
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太陽電池及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-307251
出願人:シャープ株式会社
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特開昭63-307743
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エッチング液の濃度管理方法及びエッチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-282809
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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特開平1-281734
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特開平1-281734
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特開平3-268327
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特開平3-268327
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太陽電池用の薄いシリコンシートを製造する方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2003-550295
出願人:オリジンエナジーソーラーピーティーワイリミテッド
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無機表面用エッチングペースト
公報種別:公表公報
出願番号:特願2001-580827
出願人:メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
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