特許

J-GLOBAL ID：201303045355841199

発光素子

発明者： ファン・サンミン
出願人/特許権者： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
代理人 (4件)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-085620
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093542
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：

【課題】電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供すること。【解決手段】第1のドーパントがドーピングされた第1の半導体層、第2のドーパントがドーピングされた第2の半導体層、及び前記第1及び第2の半導体層間に介在する第1の活性層を有する第1の領域と、前記第1の領域上に配置され、前記第1のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第3の半導体層、前記露出領域を除いた前記第3の半導体層上に配置され、前記第2のドーパントがドーピングされた第4の半導体層及び前記第3及び第4の半導体層間に介在する第2の活性層を有する第2の領域とを備え、前記第4の半導体層から前記第1の半導体層まで互いに離隔した第1及び第2のトレンチが形成された発光構造物と、所定の位置に配置された第1から第3の電極とを含んで発光素子を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のドーパントがドーピングされた第1の半導体層、第2のドーパントがドーピングされた第2の半導体層、及び前記第1及び第2の半導体層間に介在する第1の活性層を有する第1の領域と、 前記第1の領域上に配置され、前記第1のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第3の半導体層、前記露出領域を除いた前記第3の半導体層上に配置され、前記第2のドーパントがドーピングされた第4の半導体層及び前記第3及び第4の半導体層間に介在する第2の活性層を有する第2の領域と を備え、 前記第4の半導体層から前記第1の半導体層まで互いに離隔した第1及び第2のトレンチが形成された発光構造物と、 前記第1及び第2のトレンチ内に露出した前記第1の半導体層上に配置された第1及び第2の電極パッドを有する第1の電極と、 前記第3の半導体層の前記露出領域及び前記露出領域に形成されたホール内に挿入されて前記第2の半導体層上に配置され、前記第2及び第3の半導体層と電気的に連結される第2の電極と、 前記第4の半導体層上に配置され、前記第1及び第2の電極パッドと接触した第3の電極パッド、前記第1の電極パッドと接触した第4の電極パッド及び前記第2の電極パッドと接触した第5の電極パッドを有する第3の電極と を備える発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/32 ,  H01L 33/00 ,  H01L 33/38 ,  F21S 2/00

FI (5件)：

H01L33/00 186 ,  H01L33/00 J ,  H01L33/00 210 ,  F21S2/00 231 ,  F21S2/00 439

Fターム (31件)：

3K243MA01 ,  3K244CA03 ,  3K244DA01 ,  3K244EA03 ,  3K244EA12 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041BB34 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA93 ,  5F041CB28 ,  5F041DA92 ,  5F041DC07 ,  5F041FF11 ,  5F041FF16 ,  5F141AA03 ,  5F141AA05 ,  5F141BB34 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA74 ,  5F141CA75 ,  5F141CA93 ,  5F141CB28 ,  5F141FF11 ,  5F141FF16

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 発光素子および発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-254288   出願人：豊田合成株式会社
• 特開昭61-056474
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-051165   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-004024   出願人：三洋電機株式会社