特許
J-GLOBAL ID：201003025552126903

発光素子および発光装置

発明者：
守山 実希

守山 実希 について

, 
五所野尾 浩一

五所野尾 浩一 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-254288
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087219
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】電流を基板面方向に均一に拡散させること。駆動電圧を低減すること。【解決手段】発光素子1は、n-GaN基板10と、n-GaN基板10表面上に積層されたIII 族窒化物半導体からなる半導体層11と、半導体層11表面11aの全面にわたって形成されたp電極12と、n-GaN基板10裏面10aに形成されたn電極13と、で構成されている。p電極12とn電極13の発光素子1長辺方向の抵抗は、ともに1Ω以下である。そのため、基板面方向における電流密度分布の偏りが減少し、素子の信頼性が向上する。また、駆動電圧を抑えることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性で発光波長に対して透明な基板の表面上に、半導体層が積層され、前記半導体層表面に第1電極、前記基板裏面に第2電極を有し、前記第1電極および前記第2電極が発光波長の光を透過しない発光素子において、 前記第1電極または前記第2電極の少なくとも一方は、前記発光素子に電流を供給する電流供給体にダイボンディングされていて、 前記第1電極および前記第2電極の最遠距離間の抵抗は、いずれも1Ω以下である、 ことを特徴とする発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/36 ,  H01L 33/48 ,  H01L 33/32
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 N ,  H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA24 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA92 ,  5F041DA01 ,  5F041DA07
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (6件)
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