特許
J-GLOBAL ID：201303045859203061

不発揮性SRAM及びその操作方法

発明者：
王立中

王立中 について


出願人/特許権者：
フラッシュシリコン・インコーポレイテッド

フラッシュシリコン・インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174517
公開番号（公開出願番号）：特開2013-037757
出願日： 2012年08月07日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【課題】SRAMの読み書き機能と不揮発性メモリの不揮発記憶特性をあわせ持つ不発揮性SRAMセルを提供する。【解決手段】二つの出力ノードを設けるラッチと、前記二つの出力ノードのうちの一つとビットラインペアのうちの一つとの間に接続されるアクセストランジスタからなるSRAMセルにおいて、前記二つの出力ノードのうちの一つと電圧ラインとの間に不揮発性メモリ素子を接続することにより、不揮発性SRAMセルを構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
SRAM素子と不発揮性メモリ素子を有し、 前記SRAM素子は、二つの出力ノードを設けるラッチと二つのアクセストランジスタを有し、そのうち、各前記アクセストランジスタは、前記二つの出力ノードのうち一つとビットラインペアのうちの一つとの間で接続され、 前記不発揮性メモリ素子は、前記二つの出力ノードのうちの一つと電圧ラインとの間で接続されることを特徴とする不発揮性SRAMセル。
IPC (1件)：
G11C 11/412
FI (1件)：
G11C11/40 301
Fターム (4件)：
5B015HH04 ,  5B015JJ43 ,  5B015KA10 ,  5B015QQ16
引用特許：
審査官引用 (13件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM