スタティック型半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004492
公開番号（公開出願番号）：特開2001-195893
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】歩留りよく、スタンバイ電流が規格値以下となるスタティック型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】正規メモリセルアレイの各列に対応して、接地電位を供給するためのメモリセル電源配線LMG11〜LMG24が設けられる。ヒューズ素子Fcs11〜Fcs24のうち、冗長置換をされるメモリセル列に対応するヒューズ素子は切断され、置換される正規メモリセル列への接地電位の供給が停止される。

請求項（抜粋）：

スタティック型半導体記憶装置であって、各々が第1および第2のレベルを保持することが可能な複数のメモリセルが行列状に配列される正規メモリセルアレイを備え、前記正規メモリセルアレイは、複数のメモリセル置換単位に分割され、前記正規メモリセルアレイ中のメモリセル置換単位ごとに冗長救済をするための冗長メモリセルアレイと、前記第1のレベルに対応する第1の電位の供給される第1の電源ノードと、前記メモリセル置換単位ごとに対応して設けられ、対応する前記メモリセル置換単位内の前記メモリセルに前記電源ノードから前記第1の電位を供給するための複数の第1の配線と、前記電源ノードから前記複数の第1の配線への前記第1の電位の供給をそれぞれ独立に停止することが可能な電位供給制御回路とをさらに備える、スタティック型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 603 , G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 29/00 603 N , G11C 11/34 341 C

Fターム (18件)：

5B015HH04 , 5B015JJ07 , 5B015JJ32 , 5B015KA06 , 5B015KA10 , 5B015KA27 , 5B015KB44 , 5B015NN09 , 5B015PP01 , 5B015QQ15 , 5L106AA02 , 5L106CC04 , 5L106CC13 , 5L106CC17 , 5L106CC22 , 5L106CC26 , 5L106CC32 , 5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-298862 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-351656 出願人：ソニー株式会社
半導体メモリの不良救済回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-169865 出願人：三星電子株式会社

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