特許
J-GLOBAL ID：201303045896294573

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
伊 藤 規 宏

伊 藤 規 宏 について

, 
八 谷 洋 介

八 谷 洋 介 について

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河 野 央

河 野 央 について

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相 浦 一 博

相 浦 一 博 について

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菅 野 至

菅 野 至 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (7件)： 勝沼 宏仁 ,  永井 浩之 ,  磯貝 克臣 ,  名塚 聡 ,  岡田 淳平 ,  森 秀行 ,  堀田 幸裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-074193
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207077
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】SPM処理においてレジスト膜の除去効率向上とフィルムロスの低減を両立させる。【解決手段】基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法は、 純水のミストを含む加熱された流体を前記基板の表面に向けて流しつつ、前記流体が前記基板の表面に到達する前に、硫酸および過酸化水素水を混合して得られたSPM液を前記流体の流れに合流させて、前記SPM液と前記流体との混合流体を前記基板の表面に衝突させることにより実行される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法において、 加圧された純水のミストを含む加熱された流体を前記基板の表面に向けて流すことと、 前記純水のミストを含む流体が前記基板の表面に到達する前に、硫酸および過酸化水素水を混合して得られたSPM液を前記純水のミストを含む流体の流れに合流させて、前記SPM液と前記純水のミストを含む流体との混合流体を前記基板の表面に衝突させることと、 を備えた基板処理方法。
IPC (1件)：
H01L 21/304
FI (4件)：
H01L21/304 648G ,  H01L21/304 643C ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647Z
Fターム (29件)：
5F157AA64 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB42 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157BB23 ,  5F157BB33 ,  5F157BB37 ,  5F157BB39 ,  5F157BB66 ,  5F157BC03 ,  5F157BC12 ,  5F157BC53 ,  5F157BE23 ,  5F157BE43 ,  5F157CA02 ,  5F157CA03 ,  5F157CA04 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CE10 ,  5F157CE11 ,  5F157CE24 ,  5F157CF34 ,  5F157DA21 ,  5F157DB02 ,  5F157DB03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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