特許
J-GLOBAL ID：201303045934554096
2つの照光ビームを有する低エネルギー電子顕微鏡を用いた半導体ウェーハ及びマスク検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-584859
特許番号：特許第4996805号
出願日： 2001年05月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】LEEMまたはSEEMにおいて実行される、製造欠陥を発見し、特徴付けるために、絶縁基板または部分的絶縁基板を撮像するための方法であって、前記方法は:
a)前記基板を第1の軌道に沿って進む第1の電子の集合に曝露するステップであって、前記第1の電子の集合は、所定のレベルで前記基板に存在する表面電圧が維持されるように選択されたエネルギーを有し、第4の電子の集合を前記基板から離れさせる、前記ステップと;
b)前記基板を第2の軌道に沿って進む第2の電子の集合に曝露するステップであって、前記第2の電子の集合は、第3の電子の集合を前記基板から離れさせるように選択されたエネルギーを有する、前記ステップと;
c)前記第3の電子の集合または第4の電子の集合の少なくとも一つを検出し、それによって、前記基板の一部を撮像するステップと、を含み、前記第1および第2の軌道は陰極レンズに対する入射位置で重なり、前記第1および第2の電子の集合が共に同一の前記基板の一部を照らす、基板撮像方法。
IPC (7件)：
H01J 37/29 ( 200 6.01)
, G01N 23/225 ( 200 6.01)
, G03F 1/84 ( 201 2.01)
, H01J 37/05 ( 200 6.01)
, H01J 37/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
H01J 37/29
, G01N 23/225
, G03F 1/08 S
, H01J 37/05
, H01J 37/06 A
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/66 J
