π電子共役重合体及びそれを用いた有機半導体デバイス

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：中務茂樹 , 伊藤俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-112856
公開番号（公開出願番号）：特開2013-237813
出願日： 2012年05月16日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

【課題】熱安定性に優れ、かつバンドギャップが小さいπ電子共役重合体を提供する。【解決手段】下記一般式(1):[式中、UはSi又はGeであり、Y1がNでY2がCH若しくはCFであるか、又はY1がCH若しくはCFでY2がNであり、ZはS、Se及びN-R3からなる群から選択される1種であり、R1、R2及びR3はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数6〜20のアリール基又は置換基を有してもよい炭素数4〜20のヘテロアリール基であり、nは2以上の正数である。]で示されるπ電子共役重合体。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1):

IPC (5件)：

C08G 61/12 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/42

FI (5件)：

C08G61/12 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/78 618B , H01L31/04 D

Fターム (22件)：

4J032BA02 , 4J032BA18 , 4J032BA20 , 4J032BB05 , 4J032BB09 , 4J032BC02 , 4J032BC03 , 4J032BC12 , 4J032BD07 , 5F110AA14 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F151AA11 , 5F151DA03 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA03

引用文献：

審査官引用 (4件)

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