特許
J-GLOBAL ID：201303046421375214

炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者：
福田 憲司

福田 憲司 について

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岩室 憲幸

岩室 憲幸 について

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後藤 雅秀

後藤 雅秀 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

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富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104224
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232557
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】オーミック特性を確保しつつ、炭素の遊離を抑制して電極の密着性を確保できるオーミック電極を形成する。【解決手段】炭化珪素基板1にコンタクト電極を形成する工程を含み、コンタクト電極を形成する工程は、コンタクト電極として、炭化物を生成し易くかつ窒化物も生成し易い金属(チタン、ジルコニウム、ハフニウムの内いずれか1種類以上を含む純金属もしくは合金)を電極主材料として用い、窒素を主成分とする雰囲気中で熱アニールを行い、炭化珪素基板1とコンタクト電極の材料の金属とが直接接触しているコンタクトホール9の領域において、熱アニール時にコンタクト電極の材料の金属を炭化物と窒化物の両方を含む混合層12に変換する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
単結晶の炭化珪素基板を用いた炭化珪素半導体素子の製造方法において、 前記炭化珪素基板にコンタクト電極を形成する工程を含み、 当該コンタクト電極を形成する工程は、 前記コンタクト電極として、炭化物を生成し易くかつ窒化物も生成し易い金属を電極主材料として用い、 窒素を主成分とする雰囲気中で熱アニールを行い、前記炭化珪素基板と前記コンタクト電極の材料の金属とが直接接触しているコンタクトホールの領域において、当該熱アニール時に前記コンタクト電極の材料の金属を炭化物と窒化物の両方を含む混合物に変換することを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/28
FI (2件)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R
Fターム (11件)：
4M104AA03 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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