半導体装置、モジュール、及び電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-264150
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084969
出願日： 2012年12月03日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供する。【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極と、前記ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重なる半導体層と、を有するトランジスタを有し、前記半導体層と電気的に接続された第1の配線を有し、前記半導体層と電気的に接続された第2の配線を有し、前記半導体層、前記第1の配線、および前記第2の配線上に絶縁膜を有し、前記絶縁膜上に電極を有し、前記第1の配線は、第1の方向に延びて配置される領域と、前記第1の方向に交差する第2の方向に延びて配置される領域と、前記第2の方向に交差する第3の方向に延びて配置される領域と、を少なくとも有し、前記第2の配線は、第4の方向に延びて配置される領域と、前記第4の方向に交差する第5の方向に延びて配置される領域と、前記第5の方向に交差する第6の方向に延びて配置される領域と、を少なくとも有し、前記電極は、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第2の配線と電気的に接続され、前記コンタクトホールにおいて、前記電極は前記第2の配線の側面に接することを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/320 , H01L 21/288 , H01L 29/417 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/26

FI (9件)：

H01L21/90 B , H01L29/78 612C , H01L29/78 626C , H01L21/88 B , H01L21/288 M , H01L29/50 M , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/26 Z

Fターム (140件)：

2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092KB03 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA16 , 2H092MA17 , 2H092MA35 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB08 , 3K107CC11 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107DD16 , 3K107DD17 , 3K107DD39 , 3K107DD44Z , 3K107DD46Z , 3K107EE03 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD62 , 4M104DD64 , 4M104DD81 , 4M104EE06 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ38 , 5F033KK03 , 5F033KK04 , 5F033KK05 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033NN12 , 5F033NN14 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS15 , 5F033VV15 , 5F033XX03 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110HM04 , 5F110NN72 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-564237 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-224483 出願人：シャープ株式会社
液晶表示装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-141921 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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