特許
J-GLOBAL ID：200903017696912918
液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224483
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199917
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗金属配線を用いるとともに絵素電極とドレイン電極とを確実に接続することができる液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置を提供する。【解決手段】 透明絶縁性基板51上にゲート信号線60に接続されたゲート電極52が形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜53が形成される。ゲート電極52上に半導体層54、ソース電極55およびドレイン電極56が形成され、ソース信号線61、ソースおよびドレイン引出し電極58,59となる金属層57が形成される。金属層57は、チタニウム膜80、およびアルミニウム膜81が積層して形成される。TFT62、ゲート信号線60およびソース信号線61を覆って層間絶縁膜68が形成される。層間絶縁膜68にはドレイン引出し電極59の少なくとも周縁の一部が露出するようにスルーホール87が形成される。絵素電極69はスルーホール87を覆うように形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に複数のスイッチング素子がマトリックス状に配置され、各スイッチング素子を制御する複数のゲート信号線、および各スイッチング素子にデータ信号を供給する複数のソース信号線が直交するように配置され、スイッチング素子、ゲート信号線およびソース信号線を覆うように層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に各スイッチング素子のドレイン電極に接続される絵素電極が複数形成されるアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向する対向基板との間に液晶が封止される液晶表示装置の製造方法において、前記アクティブマトリクス基板は、ドレイン電極に一端部が接続されるドレイン引出し電極上に低抵抗金属膜を形成する低抵抗金属膜形成工程と、スイッチング素子、ゲート信号線、ソース信号線、および前記ドレイン引出電極を覆うように層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、引出し電極の他端部側の少なくとも周縁の一部が露出するように層間絶縁膜にスルーホールを形成するスルーホール形成工程と、スルーホール内で露出するドレイン引出し電極上の低抵抗金属膜をウェットエッチングによって除去するウェットエッチング工程と、低抵抗金属膜が除去されたドレイン引出し電極から層間絶縁膜上にわたって絵素電極を形成する絵素電極形成工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/1365
, G02F 1/1343
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
