特許
J-GLOBAL ID：201303046965886832

基板処理装置及びその処理流体供給方法

発明者：
姜 丙 ▲てつ▼

姜 丙 ▲てつ▼ について

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金 奉 主

金 奉 主 について

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姜 秉 万

姜 秉 万 について

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秋 永 浩

秋 永 浩 について


出願人/特許権者：
セメス株式会社

セメス株式会社 について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-095893
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232649
出願日： 2013年04月30日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】処理流体を実時間に望む比率にミキシングした後、常温の薬液を望む温度に加熱させて供給できる基板処理装置及を提供する。【解決手段】処理室へ処理流体を供給して基板を処理する基板処理装置において、処理流体を供給する供給ユニット800は、処理流体が供給される供給ライン820と、供給ライン820上に設置されて処理流体を1次加熱する予備ヒーター830と、予備ヒーター830の下流で供給ライン820上に設置されて処理流体を2次加熱するメーンヒーター840と、予備ヒーター830を迂回するように供給ライン820に連結され、第1バルブを有する第1迂回ライン862と、予備ヒーター830とメーンヒーター840又はメーンヒーター840を迂回するように供給ライン820に連結され、第2バルブを有する第2迂回ライン864と、第1バルブ及び第2バルブを制御する制御器890を含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板を処理する装置において、 基板を収容し、処理流体で前記基板を処理する処理室と、 前記処理室へ前記処理流体を供給する供給ユニットと、を含み、 前記供給ユニットは、 前記処理流体が供給される供給ラインと、 前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を1次加熱する予備ヒーターと、 前記予備ヒーターの下流で前記供給ライン上に設置されて前記処理流体を2次加熱するメーンヒーターと、 前記予備ヒーターを迂回するように前記供給ラインに連結され、第1バルブを有する第1迂回ラインと、 前記第1バルブを制御する制御器と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
H01L21/304 648G ,  H01L21/304 648K ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/306 R ,  H01L21/30 569C
Fターム (37件)：
5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F043EE31 ,  5F146LA03 ,  5F146LA13 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AB48 ,  5F157AB51 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BB22 ,  5F157BB38 ,  5F157BB39 ,  5F157BB66 ,  5F157BC12 ,  5F157BC13 ,  5F157CA03 ,  5F157CA12 ,  5F157CD33 ,  5F157CD34 ,  5F157CE32 ,  5F157CE36 ,  5F157CE37 ,  5F157CE76 ,  5F157CE77 ,  5F157CF34 ,  5F157CF36 ,  5F157CF42 ,  5F157CF66 ,  5F157CF72 ,  5F157DC84 ,  5F157DC86
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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