β-Ga2O3系基板の製造方法、及び結晶積層構造体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-226554
公開番号（公開出願番号）：特開2013-086988
出願日： 2011年10月14日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
要約：

【課題】還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ-Ga2O3系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】IV族元素を含むβ-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β-Ga2O3系基板を切り出す前の前記β-Ga2O3系結晶、又は切り出された前記β-Ga2O3系基板に施される、β-Ga2O3系基板の製造方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

IV族元素を含むβ-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β-Ga2O3系基板を切り出す前の前記β-Ga2O3系結晶、又は切り出された前記β-Ga2O3系基板に施される、 β-Ga2O3系基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/16 , C30B 33/00 , H01L 21/20 , H01L 21/477

FI (4件)：

C30B29/16 , C30B33/00 , H01L21/20 , H01L21/477

Fターム (17件)：

4G077AA02 , 4G077BB10 , 4G077CE03 , 4G077CF03 , 4G077EB01 , 4G077FE02 , 4G077FE05 , 4G077FE11 , 4G077FG11 , 4G077FJ06 , 4G077FJ10 , 4G077HA12 , 5F152LL05 , 5F152LM09 , 5F152MM18 , 5F152NN12 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-344918 出願人：株式会社光波

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