特許

J-GLOBAL ID：200903060077990311

半導体基板及びその製造方法

発明者： 青木 和夫 ,  氏家 建和
出願人/特許権者： 株式会社光波
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-344918
公開番号（公開出願番号）：特開2008-156141
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】GaNを結晶成長させる場合でも、転移密度が低い良質なエピタキシャル結晶成長が可能なβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板、(100)面の上にGaNが成長して形成されたエピタキシャル層を有するβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板、及び、これらのβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】所定の面方位である(100)面を有し、この(100)面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の面方位である(100)面を有し、前記(100)面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ-Ga2O3系単結晶からなる半導体基板。

IPC (3件)：

C30B 29/16 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (3件)：

C30B29/16 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 D

Fターム (34件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BB10 ,  4G077BE15 ,  4G077CE03 ,  4G077CF03 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077NA05 ,  4G077PA16 ,  4G077PK00 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK06 ,  4G077TK13 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭52-36117号公報
  

審査官引用 (4件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-210864   出願人：株式会社光波
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-325757   出願人：株式会社光波
• 半導体層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-290862   出願人：株式会社光波
• 発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137912   出願人：株式会社光波