特許

J-GLOBAL ID：201303047311121221

半導体装置

発明者： 横山 雅俊 ,  村川 努 ,  岡崎 健一 ,  坂倉 真之 ,  松尾 拓哉 ,  神崎 庸輔 ,  松木薗 広志 ,  山元 良高
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093513
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222819
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

【課題】活性層を形成した酸化物半導体膜の側面に寄生チャネルが発生するのを抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極106と、酸化物半導体膜110と、ソース電極114a及びドレイン電極114bと、前記酸化物半導体膜に形成されるチャネル領域と、を具備し、前記チャネル領域は、前記ソース電極の第1の側面214aと、第1の側面214aに対向する前記ドレイン電極の第2の側面214bとの間に形成され、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重畳する側面を有し、その側面は、第1の側面214aの一方端314aから最も近い第1の領域206aと、第2の側面214bの一方端314bから最も近い第2の領域206bとの間に位置する第1の高抵抗領域を有し、前記第1の高抵抗領域は、波打っている側面等を有することを特徴とする半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体膜に形成されるチャネル領域と、を具備し、 前記チャネル領域は、前記ソース電極の第1の側面と、前記第1の側面に対向する前記ドレイン電極の第2の側面との間に形成され、 前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重畳する側面を有し、 前記重畳する側面は、前記第1の側面の一方端から最も近い第1の領域と、前記第2の側面の一方端から最も近い第2の領域との間に位置する第1の高抵抗領域を有し、 前記第1の高抵抗領域は、波打っている側面、うねりのある側面、ギザギザな側面、凸凹が交互に並んでいる側面の少なくとも一つを有することにより前記重畳する側面の長さを長くした領域であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

Fターム (70件)：

2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092NA26 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN43 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示装置およびその薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-034094   出願人：NEC液晶テクノロジー株式会社, 秋田日本電気株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-226531   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-169754   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示装置およびその薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-034094   出願人：NEC液晶テクノロジー株式会社, 秋田日本電気株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-226531   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所