特許
J-GLOBAL ID：200903081738172707

薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示装置およびその薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
大石 三真

大石 三真 について

, 
木村 聡

木村 聡 について


出願人/特許権者：
NEC液晶テクノロジー株式会社

NEC液晶テクノロジー株式会社 について

, 
秋田日本電気株式会社

秋田日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  工藤 雅司 ,  谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-034094
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228826
出願日： 2004年02月10日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】オン電流の安定化とチャネル長のばらつきを抑制したTFTとその製法及びそのTFTを用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】ソース電極6aとドレイン電極6bの間のチャネル領域を形成するゲート電極2上に位置する半導体膜4の幅が、ゲート電極2上に位置するソース電極6aの幅とドレイン電極6bの幅の何れよりも広く、かつチャネル領域の両辺縁部の半導体膜の幅方向に凹凸部4a,4bを有して形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
逆スタガ構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル領域を形成するゲート電極上に位置する半導体膜の幅が、前記ゲート電極上に位置する前記ソース電極の幅および前記ドレイン電極の幅の何れよりも広く、かつ前記チャネル領域の両辺縁部の前記半導体膜の幅が凹凸形状を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336
FI (3件)：
H01L29/78 618C ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627C
Fターム (52件)：
2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA42 ,  2H092JA46 ,  2H092JB51 ,  2H092KA05 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092NA11 ,  2H092NA24 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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