特許
J-GLOBAL ID：201303047766592630

半導体装置、及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
本田 達也

本田 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134398
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021312
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：
【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は/及びドーパントを導入してもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エネルギーギャップが異なる第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層と、 前記酸化物半導体積層上にソース電極層及びドレイン電極層と、 前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体積層と重なるゲート電極層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/146 ,  C23C 14/34
FI (10件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L27/10 321 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/14 C ,  C23C14/34 N
Fターム (191件)：
4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DA04 ,  4K029DC05 ,  4K029FA09 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083AD60 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP49 ,  5F083EP54 ,  5F083EP56 ,  5F083ER02 ,  5F083ER13 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA18 ,  5F083LA11 ,  5F083LA16 ,  5F083NA01 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BC20 ,  5F101BD32 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HM07 ,  5F110HM14 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (1件)

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