特許
J-GLOBAL ID：201303048217722587
半導体装置及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-166606
公開番号（公開出願番号）：特開2012-253369
特許番号：特許第5116896号
出願日： 2012年07月27日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に第1の酸化物半導体膜を形成した後、第1の加熱処理を行って、前記第1の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第1の結晶性を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第1の結晶性を有する酸化物半導体膜上に第2の酸化物半導体膜を形成した後、第2の加熱処理を行って、前記第2の酸化物半導体膜を結晶成長させて、第2の結晶性を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第1の結晶性を有する酸化物半導体膜及び前記第2の結晶性を有する酸化物半導体膜を島状にエッチングした後、前記第2の結晶性を有する酸化物半導体膜上に第2の電極を形成し、
前記第1の電極、前記第1の結晶性を有する酸化物半導体膜、前記第2の結晶性を有する酸化物半導体膜、及び第2の電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 626 A
, H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
