特許

J-GLOBAL ID：201303048890285890

マルチフェロイックナノスケール薄膜材料、その簡便な合成方法および室温における磁気電気結合

発明者： ピリッチ、ロナルド ,  ヤン、ナン-ロー ,  スー、カイ ,  チュー、イー-ウェイ
出願人/特許権者： ノースロップ グラマン システムズ コーポレイション ,  ザ リサーチ ファンデーション オブ ザ シティ ユニバーシティ オブ ニューヨーク
代理人 (3件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-511942
公開番号（公開出願番号）：特表2012-533869
出願日： 2010年05月17日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

マルチフェロイック薄膜材料の製造方法。その方法は、マルチフェロイック前駆体溶液を提供する工程、その前駆体溶液をスピンキャスティングしてスピンキャスト膜を製造する工程、およびそのスピンキャスト膜を加熱する工程を有する。前駆体溶液は、ビスマスフェライト膜を製造するために、エチレングリコール中にBi(NO3)3o5H2OおよびFe(NO3)3o9H2Oを含有していてもよい。さらに、薄膜は、情報保存のための記憶デバイスを含む様々な技術分野において利用されうる。

請求項（抜粋）：

マルチフェロイック薄膜材料を製造する方法であって、 a)マルチフェロイック前駆体溶液を提供する工程、 b)前駆体溶液をスピンキャスティングしてスピンキャスト膜を製造する工程、および c)スピンキャスト膜を加熱する工程 を有する方法。

IPC (3件)：

H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (11件)：

4M119AA19 ,  4M119BB20 ,  4M119JJ01 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA11 ,  5F092AB01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092BD06 ,  5F092CA04 ,  5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-176967   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体装置、その製造方法、および表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-433612   出願人：株式会社リコー