特許
J-GLOBAL ID：200903073093859246

半導体装置、その製造方法、および表示装置

発明者：
田野 隆徳

田野 隆徳 について

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荒海 麻由佳

荒海 麻由佳 について

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藤村 浩

藤村 浩 について

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近藤 浩

近藤 浩 について

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友野 英紀

友野 英紀 について

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近藤 均

近藤 均 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-433612
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191437
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 ゲートリーク電流を抑制しオン/オフ比の大きな、有機半導体層を備えた半導体装置等を提供する。【解決手段】 絶縁性基板11と、絶縁性基板11上に選択的に形成されたゲート電極12と、絶縁性基板11表面およびゲート電極12を覆うゲート絶縁膜13と、ゲート絶縁膜13上にゲート長方向に所定のチャネル長を有して離隔して配置された2つのソース/ドレイン電極15と、ソース/ドレイン電極15を覆う有機半導体層16から構成し、ゲート絶縁膜13を金属酸化物を基体として多数の細孔を形成した多孔質体層により形成する。ゲート絶縁膜13/有機半導体層16界面の面積を増加させ、実質的なゲート容量を増加させる。多孔質体層は界面活性剤を分散させたゾル溶液により膜を形成し加熱等により界面活性剤を除去して細孔を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 有機物からなる半導体層と、 前記ゲート電極と半導体層との間に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート電極に対してゲート絶縁膜を介した反対側に離隔して形成された2つのソース/ドレイン電極とを備え、 前記ゲート絶縁膜は細孔が形成された多孔質体層からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/316 G ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28
Fターム (58件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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