特許

J-GLOBAL ID：201303049085275175

放熱基板及び放熱基板の製造方法

発明者： シン・サン・ヒュン ,  ペ・チョン・シク ,  ソン・サン・ヒュク ,  ソ・キ・ホ ,  ホ・チョル・ホ
出願人/特許権者： サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.
代理人 (2件)： 加藤 公延 ,  大島 孝文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273160
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131748
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】本発明は、放熱基板及び放熱基板の製造方法に関する。【解決手段】本発明による放熱基板は、金属材質で構成され、一つ以上のビアホールが形成された基板と、前記基板の表面に形成された絶縁層と、前記ビアホールの内壁面に形成された伝導性または非伝導性材質のコーティング層と、前記絶縁層上に形成され、電気的に互いに分離した複数の金属パターンと、前記金属パターンから延長されて前記ビアホールの内壁面のコーティング層上に形成された金属層と、前記ビアホール内の前記金属層の間に充填される非伝導性材質の充填材と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属材質で構成され、一つ以上のビアホールが形成された基板と、 前記基板の表面に形成された絶縁層と、 前記ビアホールの内壁面に形成された伝導性または非伝導性材質のコーティング層と、 前記絶縁層上に形成され、電気的に互いに分離した複数の金属パターンと、 前記金属パターンから延長されて前記ビアホールの内壁面のコーティング層上に形成された金属層と、 前記ビアホール内の前記金属層の間に充填される非伝導性材質の充填材と、 を含む放熱基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/36

FI (2件)：

H01L23/12 J ,  H01L23/36 C

Fターム (2件)：

5F136BB05 ,  5F136FA02

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体搭載用回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-105266   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス
• 特開昭63-262890
  
• 金属芯配線板の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241356   出願人：日立化成工業株式会社
• 配線基板の製造方法及び配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-147776   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭63-262890
  
• バンプ電極およびバンプ電極を持った部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-088307   出願人：いわき電子株式会社